The alarm evaluator: evaluates the alarm condition set by formula, t= he persistence setting, and the pressure excursion filter

残りのガスが付い= 2390;いる半導体のエッӠ= 1;ング装置用具の監視<= /span> 分析

= ;

= ;

= ;

導入

半導体のエ= 2483;チング装置プロセӟ= 3;は重要な変数の数のた&#= 12417;に挑戦的である。 Ĕ= 71;体汚染の検出(RGA)はユ= ;ーザーがこれ&#= 12425;の変数、化学構成|= 34;含んで、気体汚染お= よび反作用プロダク= 2488;の複数を監視するӗ= 8;を助けることができ&= #12427;。

自動的にこ= 2398;機能を行うためにӌ= 9;上位システムに用具&= #12398;プロセスステップ= 434;識別すること十分な= ;状態情報がな&#= 12369;ればなりこの機械ţ= 42;理エンジンに利用で= きる情報ニーズ。ホス= ;トはプロセス開始、&#= 12473;テップ変更およびプ&#= 12525;セス完了を識別必Š= 01;がある。

半導体のエ= 2483;チング装置は理性௚= 0;なホストを要求する&= #27738;染の検出の適用の&#= 20363;である。 İ= 95;空槽を監視すれば、= 私達は化学変更の明= 2425;かなもとを見る。例え= ;ば、負荷部屋からの&#= 21322;導体デバイスの移Ô= 05;。シス= ;テムが現在の活動状況を理解し&#= 12394;ければ、正しい診Ą= 29;は不可能である。<= span style=3D'mso-fareast-language:JA'> 正常な脱線&= #12364;無視することがで= 365;ること私達のプロダ= ;クト(In Situ Host)は期間そのような物= ;および異なった制御&#= 38480;界を現在の活動状況に基づく&#= 24540;用である場合もあ|= 27;仕切る。

気体汚染の検&#= 20986; 器械ӗ= 9;用具のモニターになる。のた= ;めの用具は絶えず制&#= 24481;状態から治安&#= 12434;維持される。

利点

1. <= span lang=3DJA style=3D'font-family:Batang;mso-bidi-font-family:Batang;mso-farea= st-language: JA'>リアルタイム: ほとんどの= 2503;ロセス制御機構はӢ= 3;ロセス用具の完全性&= #12434;規則的にテストす= 427;、資格間に合間に重= ;要な危険がある場合&#= 12418;ある。絶え= ;ずシステムを監視す&#= 12427;ことテストの層をÓ= 52;えることは全操作へ= 重要な強化である。

2. 資格に使わ= 2428;る時間を減らしなӕ= 3;い: 実時間モニターの一= ;度信頼性そして信頼&#= 24615;は、慣習的なプロ|= 75;ス制御方法なるより= 少なく重大に確立さ= 2428;る。慣習= ;的なテスト頻度はプ&#= 12525;セス制御の質の全ƃ= 54;的な改善と正常運<= span lang=3DJA style=3D'font-family:"MS Mincho";mso-bidi-font-family:"MS Mincho"; mso-fareast-language:JA'>営から取除か&#= 12428;るために半導体デ|= 96;イスのエッチング用= 具に必要なより少な= 2356;時間と、減らすこӗ= 2;ができる。

3. <= span lang=3DJA style=3D'font-family:Batang;mso-bidi-font-family:Batang;mso-farea= st-language: JA'>トラブルシューテ= -ィン= ;グ: 半導体のエ= 2483;チング装置処理は非常に&#= 35079;雑である。場所= ;化学モニターを&#= 25588;助できる持ってい|= 27;ことは困難な問題の= 解決を。

半導体のエ= 2483;チング装置モニターからの利点&#= 12399;資格のためのダウ}= 31;タイムが減らす最終= 的にことができる、= 2381;のトラブルシューӠ= 6;-ィンӞ= 4;の活動はかなりより&= #26377;効になる実時&#= 38291;点検を含み。

理性的な機= 6800;は可能なホスト無འ= 4;にされた半導体デバ&= #12452;ス、増加の半導体&#= 12487;バイスのエッチン|= 64;用具供給を防ぐのを= 助けることができ平= 2343;修復時間を減らすӍ= 0;

例=

半導体のエ= 2483;チング装置プロセӟ= 3;に独特な化学署&#= 21517;を持っている各ステップの多= 数のステップ&#= 12364;ある。機械= ;理性的なホストは各&#= 12473;テップのための独特な制御モ&#= 12487;ルを加えられる必Š= 01;がある。

例の半導体= 2487;バイスの腐食プロӟ= 5;スに次のステップが&= #12354;るかもしれない: 基質ӗ= 8;移動、新しい化学構成A、安定性のた&#= 12417;の待ち時間、無線Ø= 08;波力、開始ステップ= 、新しい化学構成 B、バルク腐食&#= 12289;新しい化学構成C、終点の検出のステップ(高い๲= 4;択率)腐食の完了の&#= 12473;テップ。

可能なホス= 2488;の塗布がこれらのӟ= 3;テップに合わせるこ&= #12392;は必要である。例え= ;ば、半導体デバイス&#= 12398;移動のステップ (ステӠ= 3;プ1)のたә= 7;の別のモデルは腐食&= #12398;完了のステップ(ステӠ= 3;プ5 )にモ= ;デルから要求される&#= 12290;

私達のプロ= 2480;クト(In Situ Host) プロセスガス&#= 12398;導入を制御する信号の組合せの&#= 30435;視によってこのプ}= 25;セスに合わせ、ガス= のためのアナログタ= 2540;ゲットは流れる。論理= ;の機能は各ステップ&#= 12398;別のモデルを可能{= 95;する。

半導体のエッチング= ;装置モニターが効果的に&#= 12471;ステムプロセスをÌ= 62;飾するのに使用する= ことができる。[1]

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<= span style=3D'mso-fareast-language:JA'>

私達のプロダクト= (In Situ Host)はウエファーのプロセス環境の= ;広範囲の資格を提供&#= 12377;る。

プロӟ= 5;ス化学量論= :

プロセスガ= 2473;および血しょうプӤ= 5;ダクトは測定され、&= #37327;を示すことができ= 427;。反作= ;用のプロダクトの量&#= 12434;示すことによってz= 89;血しょう出力密度は= 意味される。

百万ごとの= 2362;よそ1部のӤ= 4;ベルに(1 * 10-6年= ))、プӤ= 5;セスガスは修飾する&= #12371;とができる。テキ= ;サス・インスツル&#= 12513;ントのシステムはĕ= 38;染された酸素供給に= 苦しみ、付けられた= 7671;体汚染の検出の器੸= 0;は問題の同一証明の&= #12383;めに使用された。 [2]

真空は= cを漏= ;らすすぐに識別されるあ= ;。この= ;テストは標準的な漏&#= 12428;試験と余分では&#= 12394;い。ある= ;漏出位置は設置され&#= 12390;いる気体汚染の検&#= 20986;の器械によっても{= 87;と効果的にテストさ= れる。

例えば、ガ= 2473;の流れ量のコントӤ= 5;ーラーとの区&#= 22495;のガス多岐管の漏Ñ= 86;は完全に標準的な技= 術によってテストさ= 2428;ない区域である。ガス= ;多様な弁が閉鎖&#= 12375;ているか、または|= 60;スのフロー制御ター= ゲットがゼロに設定= 2373;れれば、漏れ試験ӗ= 9;隔離された容積を評&= #20385;しない。

維持ӗ= 8;回復:

半導体のエ= 2483;チング装置用具はӤ= 2;アクターが周期的に&#= 32173;持のために出るように要求する。回復= ;の間に、機内化学モニタ&#= 12540;は基礎圧力をテス|= 88;するのに必要な多く= の時間を待っている= 2371;とを避けることがӗ= 1;きる。付加= ;では、私達のプロダ&#= 12463;ト(In Situ Host) 容易に顧客の&#= 12487;ータウェアハ&#= 12454;ス(十分ӗ= 5;迎合的なCOM)に統= ;合し、あるように気体汚染の検&#= 20986;の器械の結果がす|= 27; テストされるデータベース.

用具の操作= 2395;気体汚染の検&#= 20986;の器械を合わせる{= 83;めには、状態情報は= 得られなければなら= 2394;い。この= ;機能のため、a 続きのハード&#= 12454;ェアモジュール測定ӗ= 8;ような機能のために&= #21033;用できるがのあるランプのó= 75;度のガスを抜きなさ= いまたӗ= 9;のコマンド待ち状態トランスファ・ポットのIn Situ Hosts. = ソフトウェアは継ぎ目無くこ&#= 12398;情報をに含んでい|= 27; 私達のプロダクト= (In Situ Host) 分析およびセットオ= ;ートメーショ&#= 12531;の誘発。

^[1]= B. BradshawおよびT。シュナイダー、「タングステン{= 98;残りのガス࠳= 8;析の化学気相堆積そӕ= 5;てEtchbackのプロセӟ= 3;モニタリング」、環&= #22659;科学Proceedings 1996年のためӗ= 8;協会

^[2]= トマスP。シュナイダー、科学Ferran (現在半<= span style=3D'font-size:10.0pt;mso-fareast-font-family:Batang;mso-fareast-langua= ge: JA'>Creeと); そしてケリーJ。テイラー= 2289;デイヴィッドA。 Rothenbury<= span lang=3DJA style=3D'font-size:10.0pt;font-family:Batang;mso-ascii-font-famil= y:"Times New Roman"; mso-hansi-font-family:"Times New Roman";mso-fareast-language:JA'>、&#= 21360;ChavisのティモシーHoff<= span lang=3DJA style=3D'font-size:10.0pt;font-family:Batang;mso-ascii-font-famil= y:"Times New Roman"; mso-hansi-font-family:"Times New Roman";mso-fareast-language:JA'>、&#= 12362;よびCraig H。 Huffman、 テ&#= 12461;サス・インスツルメ&#= 12531;ト」、 酸素のガス供&#= 32102;の汚染を」検出する部分的圧力分析を使用&#= 12375;てマイクロ雑誌1999年&#= 12290;

3D"In

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Bradshaw Vacuum Technology

3417 = Steven Drive

Plano, Texas, USA 75023

ウェӢ= 2;サイト<= /span>

より多くの= 4773;報のため、接触:

Bradshaw Vacuum Technology

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(001) 972.618.7014

電子&#= 12513;ー= ル

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